Samsung-ը հայտարարել է 512 Գբ օպերատիվ հիշողությամբ մոդուլի մասին, հաղորդել է Lenta-ն՝ վկայակոչելով Wccftech-ին:
Ընկերությունը HotChips 33 միջոցառման ժամանակ DDR5 օպերատիվ հիշողությամբ մոդուլ է թողարկել: 512 գիգաբայթանոց սարքը կարող է ապահովել տվյալների մշակման մինչեւ 7.2 գիգաբիթ/վրկ արագություն՝ 1.1 վոլտ լարման դեպքում: Samsung-ի տվյալներով՝ նոր ձեւաչափը գերազանցում է DDR4-ը չորս ցուցանիշներով` արդյունավետություն, արագություն, տարողություն եւ հզորություն:
Կորպորացիայի ինժեներները հայտարարել են, որ DDR4 ձեւաչափի համեմատ, նոր հիշողությունը 40 տոկոսով բարձրացնում է արդյունավետությունը, 2.2 անգամ՝ արագությունը:
Ընկերության մշակումը հիմնականում նախատեսված է տվյալների կենտրոնների համար: Samsung-ը հստակեցրել է, որ իրենք չեն պատրաստվում բավարարվել արդեն ձեռք բերվածով եւ ապագայում ներկայացնելու են մեկ տերաբայթ տարողությամբ DDR5 հիշողության մոդուլներ:
Ըստ Samsung-ի՝ մինչեւ 2023-2024 թվականները DDR5-ը դառնալու է հաշվարկների հիմնական ստանդարտը:





























